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CSD18503KCS

TI(德州仪器)
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制造商编号:
CSD18503KCS
制造商:
TI(德州仪器)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
渠道:
digikey

库存 :285

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 25.380929 25.38
10 22.81569 228.16
100 18.333988 1833.40
500 15.063514 7531.76
1000 12.481309 12481.31
2000 11.62053 23241.06
5000 11.190141 55950.71
10000 10.903213 109032.13

规格参数

关键信息

制造商 Texas Instruments

商标名 NexFET

商标 Texas Instruments

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 40 V

漏极电流 100 A

漏源电阻 5.4 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.9 V

栅极电荷 30 nC

耗散功率 143 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 6.8 ns

正向跨导(Min) 98 S

上升时间 5.3 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 14 ns

典型接通延迟时间 5.7 ns

外形参数

高度 16.51 mm

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 2 g

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型号:CSD18503KCS

品牌:TI

供货:锐单

库存:285 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥25.380929
10+: ¥22.81569
100+: ¥18.333988
500+: ¥15.063514
1000+: ¥12.481309
2000+: ¥11.62053
5000+: ¥11.190141
10000+: ¥10.903213

货期:7-10天

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