货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥22.136292 | ¥22.14 |
10 | ¥19.898987 | ¥198.99 |
100 | ¥15.990215 | ¥1599.02 |
500 | ¥13.13783 | ¥6568.91 |
1000 | ¥10.885729 | ¥10885.73 |
2000 | ¥10.13499 | ¥20269.98 |
5000 | ¥9.75962 | ¥48798.10 |
10000 | ¥9.509372 | ¥95093.72 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 5.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.9 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 143 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.8 ns
正向跨导(Min) 98 S
上升时间 5.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 5.7 ns
高度 16.51 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0CSD18503KCS
型号:CSD18503KCS
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥22.136292 |
10+: | ¥19.898987 |
100+: | ¥15.990215 |
500+: | ¥13.13783 |
1000+: | ¥10.885729 |
2000+: | ¥10.13499 |
5000+: | ¥9.75962 |
10000+: | ¥9.509372 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥22.14