
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥25.380929 | ¥25.38 |
| 10 | ¥22.81569 | ¥228.16 |
| 100 | ¥18.333988 | ¥1833.40 |
| 500 | ¥15.063514 | ¥7531.76 |
| 1000 | ¥12.481309 | ¥12481.31 |
| 2000 | ¥11.62053 | ¥23241.06 |
| 5000 | ¥11.190141 | ¥55950.71 |
| 10000 | ¥10.903213 | ¥109032.13 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 5.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.9 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 143 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.8 ns
正向跨导(Min) 98 S
上升时间 5.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 5.7 ns
高度 16.51 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0CSD18503KCS
型号:CSD18503KCS
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥25.380929 |
| 10+: | ¥22.81569 |
| 100+: | ¥18.333988 |
| 500+: | ¥15.063514 |
| 1000+: | ¥12.481309 |
| 2000+: | ¥11.62053 |
| 5000+: | ¥11.190141 |
| 10000+: | ¥10.903213 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥25.38