货期: 8周-10周
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2500 | ¥3.015612 | ¥7539.03 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 11.5 A
漏源电阻 14 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 13.6 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.5 ns
上升时间 4.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14.7 ns
典型接通延迟时间 3.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 97 mg
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0DMTH6012LPSW-13
型号:DMTH6012LPSW-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥3.015612 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00