SCTW40N120G2VAG
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- 制造商编号：
- SCTW40N120G2VAG
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥161.030834 | ￥161.03 |
| 10 | ￥148.505411 | ￥1485.05 |
| 100 | ￥126.815396 | ￥12681.54 |
| 500 | ￥115.134879 | ￥57567.44 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SCTW40N120G2VAG
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
包装
-
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压（Vdss）
1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
105mOhm @ 20A, 18V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
63nC @ 18V
Vgs（最大值）
+22V, -10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1230pF @ 800V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
290W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 200°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
HiP247™
封装/外壳
TO-247-3
SCTW40N120G2VAG 同类别型号
注
SCTW40N120G2VAG品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SCTW40N120G2VAG
数据手册PDF。
SCTW40N120G2VAG
型号：SCTW40N120G2VAG
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥161.030834 |
| 10+： | ￥148.505411 |
| 100+： | ￥126.815396 |
| 500+： | ￥115.134879 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥161.03