
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.413093 | ¥9.41 |
| 10 | ¥8.46009 | ¥84.60 |
| 25 | ¥7.981835 | ¥199.55 |
| 100 | ¥6.224919 | ¥622.49 |
| 250 | ¥6.065306 | ¥1516.33 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 900 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 45 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 55 ns
高度 15 mm
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK7A90E,S4X
型号:TK7A90E,S4X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.413093 |
| 10+: | ¥8.46009 |
| 25+: | ¥7.981835 |
| 100+: | ¥6.224919 |
| 250+: | ¥6.065306 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.41