货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.11058 | ¥10.11 |
10 | ¥8.922587 | ¥89.23 |
100 | ¥6.839808 | ¥683.98 |
500 | ¥5.407139 | ¥2703.57 |
1000 | ¥4.325686 | ¥4325.69 |
2000 | ¥3.920125 | ¥7840.25 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 9.1 nC
耗散功率 26 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.8 ns
正向跨导(Min) 34 S
上升时间 2.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 2.5 ns
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ060NE2LS SP000776122
单位重量 112.430 mg
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0BSZ060NE2LSATMA1
型号:BSZ060NE2LSATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.11058 |
10+: | ¥8.922587 |
100+: | ¥6.839808 |
500+: | ¥5.407139 |
1000+: | ¥4.325686 |
2000+: | ¥3.920125 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.11