
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥14.092691 | ¥14.09 |
| 10 | ¥8.728377 | ¥87.28 |
| 100 | ¥5.679507 | ¥567.95 |
| 500 | ¥4.363279 | ¥2181.64 |
| 1000 | ¥3.938984 | ¥3938.98 |
| 2000 | ¥3.581818 | ¥7163.64 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 9.1 nC
耗散功率 26 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.8 ns
正向跨导(Min) 34 S
上升时间 2.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 2.5 ns
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ060NE2LS SP000776122
单位重量 112.430 mg
购物车
0BSZ060NE2LSATMA1
型号:BSZ060NE2LSATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥14.092691 |
| 10+: | ¥8.728377 |
| 100+: | ¥5.679507 |
| 500+: | ¥4.363279 |
| 1000+: | ¥3.938984 |
| 2000+: | ¥3.581818 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.09