
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.566567 | ¥1699.70 |
| 6000 | ¥0.518963 | ¥3113.78 |
| 9000 | ¥0.494531 | ¥4450.78 |
| 15000 | ¥0.466877 | ¥7003.15 |
| 21000 | ¥0.450463 | ¥9459.72 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 105 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 3.6 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 4.5 S
上升时间 9.7 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 14.5 ns
典型接通延迟时间 6.7 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS215P H6327 SP000928938
单位重量 8 mg
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0BSS215PH6327XTSA1
型号:BSS215PH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.566567 |
| 6000+: | ¥0.518963 |
| 9000+: | ¥0.494531 |
| 15000+: | ¥0.466877 |
| 21000+: | ¥0.450463 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00