
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥12.617828 | ¥12.62 |
| 10 | ¥10.471619 | ¥104.72 |
| 100 | ¥8.334253 | ¥833.43 |
| 500 | ¥7.052187 | ¥3526.09 |
| 1000 | ¥5.983682 | ¥5983.68 |
制造商 Infineon
商标名 StrongIRFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 97 A
漏源电阻 7.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 116 nC
耗散功率 221 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 58 ns
正向跨导(Min) 123 S
上升时间 56 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF100B202 SP001561488
单位重量 2 g
购物车
0IRF100B202
型号:IRF100B202
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥12.617828 |
| 10+: | ¥10.471619 |
| 100+: | ¥8.334253 |
| 500+: | ¥7.052187 |
| 1000+: | ¥5.983682 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.62