货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥13.585928 | ¥13.59 |
10 | ¥12.213033 | ¥122.13 |
100 | ¥9.814762 | ¥981.48 |
500 | ¥8.063607 | ¥4031.80 |
1000 | ¥7.679625 | ¥7679.63 |
制造商 Infineon
商标名 StrongIRFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 97 A
漏源电阻 7.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 116 nC
耗散功率 221 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 58 ns
正向跨导(Min) 123 S
上升时间 56 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF100B202 SP001561488
单位重量 2 g
购物车
0IRF100B202
型号:IRF100B202
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.585928 |
10+: | ¥12.213033 |
100+: | ¥9.814762 |
500+: | ¥8.063607 |
1000+: | ¥7.679625 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥13.59