货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.248283 | ¥4.25 |
10 | ¥4.133076 | ¥41.33 |
30 | ¥4.061071 | ¥121.83 |
100 | ¥3.989066 | ¥398.91 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 490 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 9 nC
耗散功率 7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPN60R600P7S SP001681930
单位重量 116.010 mg
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0IPN60R600P7SATMA1
型号:IPN60R600P7SATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.248283 |
10+: | ¥4.133076 |
30+: | ¥4.061071 |
100+: | ¥3.989066 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.25