货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥1.714682 | ¥4286.70 |
5000 | ¥1.596495 | ¥7982.48 |
12500 | ¥1.537332 | ¥19216.65 |
25000 | ¥1.478169 | ¥36954.22 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 46.3 A
漏源电阻 23 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 21.4 nC
耗散功率 3.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13.7 ns
上升时间 11.2 ns
典型关闭延迟时间 27.5 ns
典型接通延迟时间 8.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0DMTH10H025SK3-13
型号:DMTH10H025SK3-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥1.714682 |
5000+: | ¥1.596495 |
12500+: | ¥1.537332 |
25000+: | ¥1.478169 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00