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起订量:50
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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50 | ¥9.890559 | ¥494.53 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 120 V
漏极电流 112 A
漏源电阻 5.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 69 nC
耗散功率 168 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 73 ns
典型接通延迟时间 45 ns
高度 15.1 mm
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK56E12N1,S1X
型号:TK56E12N1,S1X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
50+: | ¥9.890559 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00