STP11N60DM2
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STP11N60DM2
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.284015 | ￥11.28 |
| 10 | ￥10.149767 | ￥101.50 |
| 100 | ￥8.156063 | ￥815.61 |
| 500 | ￥6.701069 | ￥3350.53 |
| 1000 | ￥6.091907 | ￥6091.91 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STP11N60DM2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
包装
Tube
系列
MDmesh™ DM2
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
420mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
16.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
614pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
STP11N60DM2 相关产品
STP11N60DM2 同类别型号
注
STP11N60DM2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购STP11N60DM2、查询STP11N60DM2代理商；
STP11N60DM2价格批发咨询客服；这里拥有
STP11N60DM2中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到STP11N60DM2
替代型号
、STP11N60DM2
数据手册PDF。
STP11N60DM2
型号：STP11N60DM2
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.284015 |
| 10+： | ￥10.149767 |
| 100+： | ￥8.156063 |
| 500+： | ￥6.701069 |
| 1000+： | ￥6.091907 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.28