货期:(7~10天)
起订量:4
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
4 | ¥10.66996 | ¥42.68 |
100 | ¥8.68061 | ¥868.06 |
187 | ¥8.01759 | ¥1499.29 |
375 | ¥7.29423 | ¥2735.34 |
750 | ¥6.45019 | ¥4837.64 |
3000 | ¥6.088582 | ¥18265.75 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 24.5 A
漏源电阻 50 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 36 nC
耗散功率 5.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7846DP-GE3
单位重量 506.600 mg
购物车
0SI7846DP-T1-GE3
型号:SI7846DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
4+: | ¥10.66996 |
100+: | ¥8.68061 |
187+: | ¥8.01759 |
375+: | ¥7.29423 |
750+: | ¥6.45019 |
3000+: | ¥6.088582 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00