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SI7846DP-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI7846DP-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
渠道:
digikey

库存 :3000

货期:(7~10天)

起订量:4

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
4 10.66996 42.68
100 8.68061 868.06
187 8.01759 1499.29
375 7.29423 2735.34
750 6.45019 4837.64
3000 6.088582 18265.75

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 150 V

漏极电流 24.5 A

漏源电阻 50 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 36 nC

耗散功率 5.2 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

外形参数

高度 1.04 mm

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI7846DP-GE3

单位重量 506.600 mg

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SI7846DP-T1-GE3

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型号:SI7846DP-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:3000 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

4+: ¥10.66996
100+: ¥8.68061
187+: ¥8.01759
375+: ¥7.29423
750+: ¥6.45019
3000+: ¥6.088582

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