
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥259.11644 | ¥259.12 |
| 10 | ¥238.177452 | ¥2381.77 |
| 100 | ¥201.153126 | ¥20115.31 |
| 500 | ¥178.939667 | ¥89469.83 |
| 1000 | ¥168.281891 | ¥168281.89 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 102 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 152 nC
耗散功率 1.04 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 50 S
上升时间 28 ns
典型关闭延迟时间 67 ns
典型接通延迟时间 37 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 10 g
购物车
0IXTK102N65X2
型号:IXTK102N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥259.11644 |
| 10+: | ¥238.177452 |
| 100+: | ¥201.153126 |
| 500+: | ¥178.939667 |
| 1000+: | ¥168.281891 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥259.12