
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.690407 | ¥8.69 |
| 10 | ¥7.408216 | ¥74.08 |
| 100 | ¥5.147286 | ¥514.73 |
| 500 | ¥4.019244 | ¥2009.62 |
| 1000 | ¥3.266882 | ¥3266.88 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.2 A
漏源电阻 55 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.2 us
正向跨导(Min) 12 S
上升时间 1.7 us
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 2.7 us
典型接通延迟时间 850 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0NVJS4151PT1G
型号:NVJS4151PT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.690407 |
| 10+: | ¥7.408216 |
| 100+: | ¥5.147286 |
| 500+: | ¥4.019244 |
| 1000+: | ¥3.266882 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.69