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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.130383 | ¥4.13 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 7.9 mOhms, 7.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 28 nC
耗散功率 54 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 10 ns
上升时间 3 ns, 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns, 15 ns
典型接通延迟时间 12 ns, 12 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPG20N04S4-09 SP000705570
单位重量 96.880 mg
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0IPG20N04S409ATMA1
型号:IPG20N04S409ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.130383 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.13