
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.048396 | ¥5.05 |
| 10 | ¥3.411493 | ¥34.11 |
| 100 | ¥2.293197 | ¥229.32 |
| 500 | ¥1.771835 | ¥885.92 |
| 1000 | ¥1.598201 | ¥1598.20 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 105 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 3.6 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 4.5 S
上升时间 9.7 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 14.5 ns
典型接通延迟时间 6.7 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS215P H6327 SP000928938
单位重量 8 mg
购物车
0BSS215PH6327XTSA1
型号:BSS215PH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.048396 |
| 10+: | ¥3.411493 |
| 100+: | ¥2.293197 |
| 500+: | ¥1.771835 |
| 1000+: | ¥1.598201 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.05