货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥15.161663 | ¥15.16 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 22.4 A
漏源电阻 135 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 86 nC
耗散功率 195.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
上升时间 7.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 52.8 ns
典型接通延迟时间 12.4 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPP65R150CFDA SP000928272
单位重量 2 g
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0IPP65R150CFDAAKSA1
型号:IPP65R150CFDAAKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.161663 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥15.16