SQD50P04-09L_GE3
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- 制造商编号：
- SQD50P04-09L_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 40V 50A
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥43.161152 | ￥43.16 |
| 10 | ￥38.817892 | ￥388.18 |
| 100 | ￥31.80624 | ￥3180.62 |
| 500 | ￥27.076158 | ￥13538.08 |
| 1000 | ￥22.835371 | ￥22835.37 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 7.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 155 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
正向跨导（Min） 46 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 61 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
SQD50P04-09L_GE3 同类别型号
注
SQD50P04-09L_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQD50P04-09L_GE3
数据手册PDF。
SQD50P04-09L_GE3
型号：SQD50P04-09L_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥43.161152 |
| 10+： | ￥38.817892 |
| 100+： | ￥31.80624 |
| 500+： | ￥27.076158 |
| 1000+： | ￥22.835371 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥43.16