
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥12.098636 | ¥12.10 |
| 10 | ¥10.604099 | ¥106.04 |
| 100 | ¥8.126014 | ¥812.60 |
| 500 | ¥6.423381 | ¥3211.69 |
| 1000 | ¥5.138791 | ¥5138.79 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 8.7 A
漏源电阻 150 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 6.9 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23 ns
正向跨导(Min) 16 S
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 8.3 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Automotive MOSFET
零件号别名 IRFR120ZTRPBF SP001554998
单位重量 330 mg
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0IRFR120ZTRPBF
型号:IRFR120ZTRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥12.098636 |
| 10+: | ¥10.604099 |
| 100+: | ¥8.126014 |
| 500+: | ¥6.423381 |
| 1000+: | ¥5.138791 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.10