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制造商 Toshiba
商标 Toshiba
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 360 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
耗散功率 800 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 1.5 S / 0.8 S
晶体管类型 1 P-Channel
高度 0.7 mm
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Small Signal
单位重量 6.600 mg
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0SSM3J118TU(TE85L)
型号:SSM3J118TU(TE85L)
品牌:Toshiba
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