
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.971984 | ¥5.97 |
| 10 | ¥5.116903 | ¥51.17 |
| 100 | ¥3.820712 | ¥382.07 |
| 500 | ¥3.002008 | ¥1501.00 |
| 1000 | ¥2.319845 | ¥2319.84 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.6 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 17.8 nC
耗散功率 1.56 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.67 us
正向跨导(Min) 20 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 420 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0NTR3C21NZT1G
型号:NTR3C21NZT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.971984 |
| 10+: | ¥5.116903 |
| 100+: | ¥3.820712 |
| 500+: | ¥3.002008 |
| 1000+: | ¥2.319845 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.97