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SI8819EDB-T2-E1

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI8819EDB-T2-E1
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:3000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
3000 0.677567 2032.70
6000 0.623544 3741.26
15000 0.561219 8418.28
30000 0.552859 16585.77
75000 0.51965 38973.75

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 12 V

漏极电流 2.9 A

漏源电阻 80 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 900 mV

栅极电荷 7 nC

耗散功率 900 mW

通道模式 Enhancement

外形参数

高度 0.65 mm

长度 1.6 mm

宽度 1.6 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 45.104 mg

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SI8819EDB-T2-E1

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型号:SI8819EDB-T2-E1

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

3000+: ¥0.677567
6000+: ¥0.623544
15000+: ¥0.561219
30000+: ¥0.552859
75000+: ¥0.51965

货期:1-2天

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