
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.677567 | ¥2032.70 |
| 6000 | ¥0.623544 | ¥3741.26 |
| 15000 | ¥0.561219 | ¥8418.28 |
| 30000 | ¥0.552859 | ¥16585.77 |
| 75000 | ¥0.51965 | ¥38973.75 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2.9 A
漏源电阻 80 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 7 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
高度 0.65 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 45.104 mg
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0SI8819EDB-T2-E1
型号:SI8819EDB-T2-E1
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.677567 |
| 6000+: | ¥0.623544 |
| 15000+: | ¥0.561219 |
| 30000+: | ¥0.552859 |
| 75000+: | ¥0.51965 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00