SI8819EDB-T2-E1
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- 制造商编号：
- SI8819EDB-T2-E1
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.065969 | ￥5.07 |
| 10 | ￥4.126912 | ￥41.27 |
| 25 | ￥3.776 | ￥94.40 |
| 100 | ￥2.372357 | ￥237.24 |
| 250 | ￥2.345668 | ￥586.42 |
| 500 | ￥2.196407 | ￥1098.20 |
| 1000 | ￥1.493473 | ￥1493.47 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2.9 A
漏源电阻 80 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 7 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
外形参数
高度 0.65 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 45.104 mg
SI8819EDB-T2-E1 同类别型号
注
SI8819EDB-T2-E1品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI8819EDB-T2-E1
数据手册PDF。
SI8819EDB-T2-E1
型号：SI8819EDB-T2-E1
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.065969 |
| 10+： | ￥4.126912 |
| 25+： | ￥3.776 |
| 100+： | ￥2.372357 |
| 250+： | ￥2.345668 |
| 500+： | ￥2.196407 |
| 1000+： | ￥1.493473 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.07