
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥13.00131 | ¥13.00 |
| 10 | ¥11.229705 | ¥112.30 |
| 100 | ¥7.776499 | ¥777.65 |
| 500 | ¥6.497226 | ¥3248.61 |
| 1000 | ¥5.529558 | ¥5529.56 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 110 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 38 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 29 ns
上升时间 74 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 7.1 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRLR024NTRPBF SP001578872
单位重量 330 mg
购物车
0IRLR024NTRPBF
型号:IRLR024NTRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥13.00131 |
| 10+: | ¥11.229705 |
| 100+: | ¥7.776499 |
| 500+: | ¥6.497226 |
| 1000+: | ¥5.529558 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.00