货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥195.134855 | ¥195.13 |
30 | ¥158.001912 | ¥4740.06 |
120 | ¥148.706216 | ¥17844.75 |
510 | ¥134.764915 | ¥68730.11 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 38 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 140 nC
耗散功率 890 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 33 S
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 32 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH80N65X2-4
型号:IXFH80N65X2-4
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥195.134855 |
30+: | ¥158.001912 |
120+: | ¥148.706216 |
510+: | ¥134.764915 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥195.13