货期:(7~10天)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2500 | ¥3.050702 | ¥7626.75 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 5.2 A
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 10.5 nC
耗散功率 53 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18.2 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 5.9 ns
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 7.7 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD65R1K5CE SP001422862
单位重量 330 mg
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0IPD65R1K5CEAUMA1
型号:IPD65R1K5CEAUMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥3.050702 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00