货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.346358 | ¥11.35 |
10 | ¥9.800261 | ¥98.00 |
100 | ¥6.786618 | ¥678.66 |
500 | ¥5.670186 | ¥2835.09 |
1000 | ¥4.825694 | ¥4825.69 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 110 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 38 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 29 ns
上升时间 74 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 7.1 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRLR024NTRPBF SP001578872
单位重量 330 mg
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0IRLR024NTRPBF
型号:IRLR024NTRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.346358 |
10+: | ¥9.800261 |
100+: | ¥6.786618 |
500+: | ¥5.670186 |
1000+: | ¥4.825694 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.35