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整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥10.327834 | ¥10.33 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 55 A
漏源电阻 12.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 72 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.1 mm
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK35E08N1,S1X
型号:TK35E08N1,S1X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.327834 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥10.33