TK7E80W,S1X
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- TK7E80W,S1X
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：50
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 50 | ￥28.727755 | ￥1436.39 |
规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 6.5 A
漏源电阻 795 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 13 nC
耗散功率 110 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 45 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
TK7E80W,S1X 同类别型号
注
TK7E80W,S1X品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TK7E80W,S1X
数据手册PDF。
TK7E80W,S1X
型号：TK7E80W,S1X
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 50+： | ￥28.727755 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00