FDI150N10
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- 制造商编号：
- FDI150N10
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥20.442587 | ￥20.44 |
| 50 | ￥16.431808 | ￥821.59 |
| 100 | ￥13.52018 | ￥1352.02 |
| 500 | ￥11.440219 | ￥5720.11 |
| 1000 | ￥9.706846 | ￥9706.85 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 57 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 69 nC
耗散功率 110 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 83 ns
正向跨导（Min） 156 S
上升时间 164 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 86 ns
典型接通延迟时间 47 ns
外形参数
高度 7.88 mm
长度 10.29 mm
宽度 4.83 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Power Trench MOSFET
单位重量 2.387 g
FDI150N10 同类别型号
注
FDI150N10品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、FDI150N10
数据手册PDF。
FDI150N10
型号：FDI150N10
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥20.442587 |
| 50+： | ￥16.431808 |
| 100+： | ￥13.52018 |
| 500+： | ￥11.440219 |
| 1000+： | ￥9.706846 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥20.44