货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.576057 | ¥7.58 |
10 | ¥6.522511 | ¥65.23 |
100 | ¥4.872352 | ¥487.24 |
500 | ¥3.828276 | ¥1914.14 |
1000 | ¥2.958214 | ¥2958.21 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 5.5 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 5.5 nC
耗散功率 1.47 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.800 mg
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0DMN1016UCB6-7
型号:DMN1016UCB6-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.576057 |
10+: | ¥6.522511 |
100+: | ¥4.872352 |
500+: | ¥3.828276 |
1000+: | ¥2.958214 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.58