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整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥1.279461 | ¥3838.38 |
| 6000 | ¥1.214433 | ¥7286.60 |
| 9000 | ¥1.127672 | ¥10149.05 |
| 30000 | ¥1.101672 | ¥33050.16 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 24 V
漏极电流 14.1 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 550 mV
栅极电荷 53.7 nC
耗散功率 12.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38.6 ns
上升时间 9.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30.8 ns
典型接通延迟时间 3.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6.750 mg
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0DMT2004UFDF-7
型号:DMT2004UFDF-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥1.279461 |
| 6000+: | ¥1.214433 |
| 9000+: | ¥1.127672 |
| 30000+: | ¥1.101672 |
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