NVB190N65S3F
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- 制造商编号：
- NVB190N65S3F
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- SUPERFET3 650V FRFET,190M
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：800
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 800 | ￥11.892536 | ￥9514.03 |
| 1600 | ￥10.40597 | ￥16649.55 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 SuperFET III
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 34 nC
耗散功率 162 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 43 ns
典型接通延迟时间 19 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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注
NVB190N65S3F品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、NVB190N65S3F
数据手册PDF。
NVB190N65S3F
型号：NVB190N65S3F
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 800+： | ￥11.892536 |
| 1600+： | ￥10.40597 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00