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| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 700 mA
漏源电阻 800 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 1.7 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 6 ns
高度 0.77 mm
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 US5U35
单位重量 6 mg
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0US5U35TR
型号:US5U35TR
品牌:ROHM
供货:锐单
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