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SI7852DP-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI7852DP-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
渠道:
digikey

库存 :1824

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 40.57675 40.58
10 34.033035 340.33
100 27.533611 2753.36
500 24.474066 12237.03
1000 20.955892 20955.89

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 80 V

漏极电流 12.5 A

漏源电阻 16.5 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 41 nC

耗散功率 5.2 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI7852DP-GE3

单位重量 506.600 mg

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SI7852DP-T1-GE3

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型号:SI7852DP-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:1824 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥40.57675
10+: ¥34.033035
100+: ¥27.533611
500+: ¥24.474066
1000+: ¥20.955892

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