货期:国内(1~3工作日)
起订量:50
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
50 | ¥9.990665 | ¥499.53 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 5.8 A
漏源电阻 850 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 30 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
上升时间 14 ns
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 34 ns
高度 15 mm
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK6A65W,S5X
型号:TK6A65W,S5X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
50+: | ¥9.990665 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00