货期:国内(1~3工作日)
起订量:2000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2000 | ¥1.579227 | ¥3158.45 |
6000 | ¥1.498895 | ¥8993.37 |
10000 | ¥1.39181 | ¥13918.10 |
50000 | ¥1.325036 | ¥66251.80 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 63 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 930 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.3 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 3.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMN6069SFG-7
型号:DMN6069SFG-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2000+: | ¥1.579227 |
6000+: | ¥1.498895 |
10000+: | ¥1.39181 |
50000+: | ¥1.325036 |
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