货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥36.730679 | ¥36.73 |
10 | ¥32.963984 | ¥329.64 |
100 | ¥27.006413 | ¥2700.64 |
500 | ¥22.990092 | ¥11495.05 |
1000 | ¥19.38919 | ¥19389.19 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 22 A
漏源电阻 145 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 37 nC
耗散功率 37 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 37 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 30 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0IXFP22N65X2M
型号:IXFP22N65X2M
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥36.730679 |
10+: | ¥32.963984 |
100+: | ¥27.006413 |
500+: | ¥22.990092 |
1000+: | ¥19.38919 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥36.73