货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.283858 | ¥6.28 |
10 | ¥4.86691 | ¥48.67 |
100 | ¥2.92261 | ¥292.26 |
500 | ¥2.706742 | ¥1353.37 |
1000 | ¥1.840555 | ¥1840.55 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.5 A
漏源电阻 27 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 12.9 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导(Min) 10 S
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
购物车
0SI2369BDS-T1-GE3
型号:SI2369BDS-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.283858 |
10+: | ¥4.86691 |
100+: | ¥2.92261 |
500+: | ¥2.706742 |
1000+: | ¥1.840555 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.28