货期:国内(1~3工作日)
起订量:250
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
250 | ¥13.218058 | ¥3304.51 |
500 | ¥11.47884 | ¥5739.42 |
1250 | ¥9.739621 | ¥12174.53 |
2500 | ¥9.252655 | ¥23131.64 |
6250 | ¥8.904811 | ¥55655.07 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 3.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.4 V
栅极电荷 49 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.7 ns
正向跨导(Min) 140 S
上升时间 8.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 8.2 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 134 mg
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0CSD18532NQ5BT
型号:CSD18532NQ5BT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
250+: | ¥13.218058 |
500+: | ¥11.47884 |
1250+: | ¥9.739621 |
2500+: | ¥9.252655 |
6250+: | ¥8.904811 |
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