货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥29.092621 | ¥29.09 |
10 | ¥26.129855 | ¥261.30 |
100 | ¥21.408826 | ¥2140.88 |
500 | ¥18.224688 | ¥9112.34 |
1000 | ¥15.370267 | ¥15370.27 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
产品 TrenchT2
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 160 A
漏源电阻 5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 79 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 38 S, 62 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 TrenchT2 Power MOSFET
单位重量 4 g
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0IXTA160N04T2
型号:IXTA160N04T2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥29.092621 |
10+: | ¥26.129855 |
100+: | ¥21.408826 |
500+: | ¥18.224688 |
1000+: | ¥15.370267 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥29.09