
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥12.784972 | ¥12.78 |
| 10 | ¥11.464458 | ¥114.64 |
| 100 | ¥9.213583 | ¥921.36 |
| 500 | ¥7.569664 | ¥3784.83 |
| 1000 | ¥6.271959 | ¥6271.96 |
制造商 Infineon
商标名 StrongIRFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 173 A
漏源电阻 2.75 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 142 nC
耗散功率 230 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 84 ns
正向跨导(Min) 190 S
上升时间 105 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 82 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB7537PBF SP001570828
单位重量 2 g
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0IRFB7537PBF
型号:IRFB7537PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥12.784972 |
| 10+: | ¥11.464458 |
| 100+: | ¥9.213583 |
| 500+: | ¥7.569664 |
| 1000+: | ¥6.271959 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.78