
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.568445 | ¥1705.34 |
| 6000 | ¥0.533995 | ¥3203.97 |
| 15000 | ¥0.499543 | ¥7493.15 |
| 30000 | ¥0.458201 | ¥13746.03 |
| 75000 | ¥0.440976 | ¥33073.20 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2.3 A
漏源电阻 140 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8.6 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.7 ns
上升时间 3.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16.3 ns
典型接通延迟时间 2.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN6140LQ-7
型号:DMN6140LQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.568445 |
| 6000+: | ¥0.533995 |
| 15000+: | ¥0.499543 |
| 30000+: | ¥0.458201 |
| 75000+: | ¥0.440976 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00