货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥13.220945 | ¥13.22 |
10 | ¥11.77529 | ¥117.75 |
25 | ¥11.17973 | ¥279.49 |
100 | ¥8.386033 | ¥838.60 |
250 | ¥8.306213 | ¥2076.55 |
500 | ¥7.108421 | ¥3554.21 |
1000 | ¥5.790527 | ¥5790.53 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 5.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 24.1 nC
耗散功率 20 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 16 S
上升时间 6.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 62.1 ns
典型接通延迟时间 16.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3G150GN
单位重量 390.800 mg
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0RQ3G150GNTB
型号:RQ3G150GNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.220945 |
10+: | ¥11.77529 |
25+: | ¥11.17973 |
100+: | ¥8.386033 |
250+: | ¥8.306213 |
500+: | ¥7.108421 |
1000+: | ¥5.790527 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.22