货期:国内(1~3工作日)
起订量:4000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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4000 | ¥3.098195 | ¥12392.78 |
制造商 Infineon
商标名 StrongIRFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 31 nC
耗散功率 2.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.2 ns
正向跨导(Min) 52 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 1.05 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRFHM830TRPBF SP001566782
单位重量 122.136 mg
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0IRFHM830TRPBF
型号:IRFHM830TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
4000+: | ¥3.098195 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00