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数量 | 价格 | 总计 |
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10 | ¥9.662992 | ¥96.63 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 5.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 24.1 nC
耗散功率 20 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 16 S
上升时间 6.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 62.1 ns
典型接通延迟时间 16.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3G150GN
单位重量 390.800 mg
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0RQ3G150GNTB
型号:RQ3G150GNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
10+: | ¥9.662992 |
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