SIHH21N60E-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIHH21N60E-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥15.058933 | ￥45176.80 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 153 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 55 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 45 ns
上升时间 32 ns
典型关闭延迟时间 68 ns
典型接通延迟时间 20 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 8 mm
宽度 8 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 50 mg
SIHH21N60E-T1-GE3 同类别型号
注
SIHH21N60E-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIHH21N60E-T1-GE3、查询SIHH21N60E-T1-GE3代理商；
SIHH21N60E-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SIHH21N60E-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SIHH21N60E-T1-GE3
替代型号
、SIHH21N60E-T1-GE3
数据手册PDF。
SIHH21N60E-T1-GE3
型号：SIHH21N60E-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥15.058933 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00