货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.230359 | ¥6.23 |
10 | ¥5.283344 | ¥52.83 |
100 | ¥3.674668 | ¥367.47 |
500 | ¥2.868956 | ¥1434.48 |
1000 | ¥2.332024 | ¥2332.02 |
2000 | ¥2.084678 | ¥4169.36 |
制造商 Infineon
商标名 StrongIRFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 19 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.35 V
栅极电荷 4.2 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 18 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 5.2 ns
典型接通延迟时间 5.9 ns
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRFHS8342TRPBF SP001556608
单位重量 41.155 mg
购物车
0IRFHS8342TRPBF
型号:IRFHS8342TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.230359 |
10+: | ¥5.283344 |
100+: | ¥3.674668 |
500+: | ¥2.868956 |
1000+: | ¥2.332024 |
2000+: | ¥2.084678 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.23