货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.666221 | ¥12.67 |
10 | ¥11.281223 | ¥112.81 |
100 | ¥8.795329 | ¥879.53 |
500 | ¥7.265676 | ¥3632.84 |
1000 | ¥5.736023 | ¥5736.02 |
2000 | ¥5.353669 | ¥10707.34 |
制造商 Infineon
商标名 StrongIRFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 31 nC
耗散功率 2.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.2 ns
正向跨导(Min) 52 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 1.05 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRFHM830TRPBF SP001566782
单位重量 122.136 mg
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0IRFHM830TRPBF
型号:IRFHM830TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.666221 |
10+: | ¥11.281223 |
100+: | ¥8.795329 |
500+: | ¥7.265676 |
1000+: | ¥5.736023 |
2000+: | ¥5.353669 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.67