货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.54725 | ¥5.55 |
10 | ¥4.218221 | ¥42.18 |
100 | ¥2.62801 | ¥262.80 |
500 | ¥1.798234 | ¥899.12 |
1000 | ¥1.383346 | ¥1383.35 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 76 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 1.04 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 41 ns
正向跨导(Min) 3.4 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 66 ns
典型接通延迟时间 28 ns
开发套件 CSD1FPCHEVM-890
高度 0.35 mm
长度 1 mm
宽度 0.64 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.400 mg
购物车
0CSD23382F4
型号:CSD23382F4
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.54725 |
10+: | ¥4.218221 |
100+: | ¥2.62801 |
500+: | ¥1.798234 |
1000+: | ¥1.383346 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.55